MOSFET Infineon IRF9333TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-3928Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF9333TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

9.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 4,5 V, 25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Serie

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

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P

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 4,5 V, 25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Serie

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

País de Origen

China

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MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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