MOSFET Infineon IRF7807ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,2 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Serie
IRF7807ZPbF
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N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,2 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1V
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