MOSFET Infineon IRF7463TRPBF, VDSS 30 V, ID 14 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 162-3268Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF7463TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 4,5 V

Altura

1.5mm

Serie

IRF7463

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRF7463TRPBF, VDSS 30 V, ID 14 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

4000

Disponible en múltiplos de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 4,5 V

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1.5mm

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