Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3,4 A, 4,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,065 Ω, 0,17 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Altura
1.5mm
Serie
IRF7343PbF
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 0,85
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,85 | € 8,50 |
50 - 90 | € 0,663 | € 6,63 |
100 - 240 | € 0,621 | € 6,21 |
250 - 490 | € 0,578 | € 5,78 |
500+ | € 0,536 | € 5,36 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3,4 A, 4,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,065 Ω, 0,17 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Altura
1.5mm
Serie
IRF7343PbF
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V