MOSFET Infineon IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3,4 A, 4,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,065 Ω, 0,17 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.5mm
Serie
IRF7343PbF
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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€ 0,409
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SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,065 Ω, 0,17 Ω
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
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