MOSFET Infineon IRF7303TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 36,54
€ 0,365 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 36,54
€ 0,365 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
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100
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,365 | € 7,31 |
| 200 - 480 | € 0,338 | € 6,76 |
| 500 - 980 | € 0,315 | € 6,30 |
| 1000+ | € 0,292 | € 5,84 |
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N
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4.9 A
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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