MOSFET Infineon IRF7240TRPBF, VDSS 40 V, ID 10,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
73 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 100 - 240 | € 1,148 | € 11,48 |
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| 500+ | € 1,022 | € 10,22 |
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Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Si
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HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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