MOSFET Infineon IRF630NPBF, VDSS 200 V, ID 9,3 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
82 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.69mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
8.77mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 37,99
€ 0,76 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,76 | € 37,99 |
| 100 - 200 | € 0,601 | € 30,04 |
| 250 - 450 | € 0,562 | € 28,11 |
| 500 - 1200 | € 0,525 | € 26,24 |
| 1250+ | € 0,486 | € 24,31 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Anchura
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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