MOSFET Infineon IRF60B217, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 123-6144Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF60B217
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

Altura

16.51mm

Serie

StrongIRFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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3

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9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4.83mm

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1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

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44 nC a 10 V

Altura

16.51mm

Serie

StrongIRFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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