MOSFET Infineon IRF5210LPBF, VDSS 100 V, ID 38 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
37,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.54mm
Profundidad
4.69mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
10.54mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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|---|---|---|
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| 25 - 45 | € 2,296 | € 11,48 |
| 50 - 120 | € 2,142 | € 10,71 |
| 125 - 245 | € 1,989 | € 9,95 |
| 250+ | € 1,86 | € 9,30 |
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Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Longitud:
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Profundidad
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Si
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Altura
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MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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