Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IRF3710ZS
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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$ 1,552
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | $ 1,552 | $ 15,52 |
50 - 90 | $ 1,288 | $ 12,88 |
100 - 240 | $ 1,21 | $ 12,10 |
250 - 490 | $ 1,133 | $ 11,33 |
500+ | $ 1,04 | $ 10,40 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IRF3710ZS
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V