MOSFET Infineon IRF3707ZSTRLPBF, VDSS 30 V, ID 59 A, D2PAK de 2 + Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 162-3277Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF3707ZSTRLPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

59 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

D2PAK, TO-263AB

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

2 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.25V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,7 nC a 4,5 V

Altura

4.83mm

Serie

IRF3707ZS

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRF3707ZSTRLPBF, VDSS 30 V, ID 59 A, D2PAK de 2 + Tab pines, config. Simple

800

Disponible en múltiplos de 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

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800P.O.A.
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N

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Tipo de Encapsulado

D2PAK, TO-263AB

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

2 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.25V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,7 nC a 4,5 V

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4.83mm

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