MOSFET Infineon IRF3205ZPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.69mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC @ 10 V
Altura
8.77mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 500 - 950 | € 0,872 | € 43,62 |
| 1000+ | € 0,81 | € 40,52 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.69mm
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud
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