Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
IRF1407PbF
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
330000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Tensión de diodo directa
1.3V
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€ 2,047
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 2,047
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,047 | € 102,33 |
100 - 200 | € 1,658 | € 82,92 |
250 - 450 | € 1,555 | € 77,77 |
500 - 950 | € 1,433 | € 71,63 |
1000+ | € 1,331 | € 66,54 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Serie
IRF1407PbF
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
330000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
Tensión de diodo directa
1.3V