MOSFET Infineon IRF1010EZSTRLP, VDSS 60 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-3292Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF1010EZSTRLP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

58 nC a 10 V

Altura

4.83mm

Serie

IRF1010EZS

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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Transistor Configuration

Single

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±20 V

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

10.67mm

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58 nC a 10 V

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