Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
4.83mm
Serie
IRF1010EZS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
800
P.O.A.
800
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
84 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
4.83mm
Serie
IRF1010EZS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C