MOSFET Infineon IPW65R110CFDFKSA1, VDSS 700 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
277.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
Si
Series
CoolMOS CFD
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
21.1mm
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
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110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
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Material del transistor
Si
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
21.1mm
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Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
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