MOSFET Infineon IPW65R095C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7636PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPW65R095C7XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

95 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

128 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Profundidad

21.1mm

Series

CoolMOS C7

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

5.21mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

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Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

95 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

128 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Profundidad

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Series

CoolMOS C7

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

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