MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 110-9099Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPW60R190P6FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

CoolMOS P6

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

37 nC a 10 V

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

21.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon

La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 16,13
10€ 32,26
15€ 48,39
20€ 64,53
25€ 64,53
30€ 77,43
35€ 90,34
40€ 103,24
45€ 116,15
50€ 119,36
55€ 131,30
60€ 143,23
65€ 155,17
70€ 167,11
75€ 179,04

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20€ 3,226€ 16,13
25 - 45€ 2,581€ 12,90
50 - 120€ 2,387€ 11,94
125 - 245€ 2,227€ 11,13
250+€ 2,066€ 10,33

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

151 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

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1

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+150 ºC

Longitud

16.13mm

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37 nC a 10 V

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

21.1mm

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