Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
16.13mm
Altura
21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,268
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,268 | € 16,34 |
25 - 45 | € 2,614 | € 13,07 |
50 - 120 | € 2,418 | € 12,09 |
125 - 245 | € 2,255 | € 11,28 |
250+ | € 2,092 | € 10,46 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Profundidad
5.21mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
16.13mm
Altura
21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.