MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, VDSS 650 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Profundidad
5.21mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
0.9V
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 16,02
€ 3,203 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,203 | € 16,02 |
| 25 - 45 | € 2,562 | € 12,81 |
| 50 - 120 | € 2,37 | € 11,85 |
| 125 - 245 | € 2,21 | € 11,05 |
| 250+ | € 2,051 | € 10,26 |
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20 A
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CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Longitud
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Profundidad
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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+150 ºC
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
0.9V
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
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