MOSFET Infineon IPW60R160C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.21mm
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
21.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 106,65
€ 3,555 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 106,65
€ 3,555 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,555 | € 106,65 |
| 60 - 120 | € 3,378 | € 101,34 |
| 150 - 270 | € 3,235 | € 97,04 |
| 300 - 570 | € 3,093 | € 92,78 |
| 600+ | € 2,879 | € 86,38 |
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CoolMOS™ C6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.21mm
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
21.1mm
País de Origen
China
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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