MOSFET Infineon IPT015N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, HSOF-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPT015N10N5
Tipo de Encapsulado
HSOF-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
169 nC a 10 V
Ancho
10.58mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.4mm
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€ 2,797
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
169 nC a 10 V
Ancho
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