MOSFET Infineon IPP80P03P4L04AKSA1, VDSS 30 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 124-9058Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP80P03P4L04AKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

OptiMOS P

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

137000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10mm

Profundidad

4.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

125 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

15.65mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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MOSFET Infineon IPP80P03P4L04AKSA1, VDSS 30 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50€ 69,53
100€ 125,21
150€ 187,82
200€ 250,42
250€ 295,43
300€ 354,51
350€ 413,60
400€ 472,69
450€ 531,77
500€ 590,86
550€ 649,94
600€ 709,03
650€ 768,11
700€ 827,20
750€ 886,29

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TO-220

Serie

OptiMOS P

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

137000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10mm

Profundidad

4.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

15.65mm

País de Origen

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Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
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Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

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