MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Serie
IPP075N15N3 G
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Altura
11.17mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 4,245
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,245 | € 212,26 |
| 100 - 200 | € 4,034 | € 201,68 |
| 250+ | € 3,63 | € 181,51 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
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Serie
IPP075N15N3 G
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
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