MOSFET Infineon IPI90R500C3XKSA1, VDSS 900 V, ID 11 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7557Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPI90R500C3XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

9.45mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

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Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

500 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

156 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Profundidad

4.5mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

9.45mm

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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

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