MOSFET Infineon IPD80R3K3P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 1,9 A, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.3 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Serie
CoolMOS P7
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€ 0,291
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,291 | € 728,01 |
| 5000+ | € 0,277 | € 692,93 |
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