Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Serie
700V CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.95 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Serie
700V CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.95 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si