MOSFET Infineon IPD60R800CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,2 nC a 10 V
Altura
2.41mm
Serie
CoolMOS CE
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,656
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
25
€ 0,656
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
25
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,656 | € 16,40 |
| 125 - 225 | € 0,623 | € 15,59 |
| 250 - 600 | € 0,598 | € 14,94 |
| 625 - 1225 | € 0,558 | € 13,95 |
| 1250+ | € 0,525 | € 13,13 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,2 nC a 10 V
Altura
2.41mm
Serie
CoolMOS CE
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products