MOSFET Infineon IPD60N10S4L12ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, TO-252 de 3 pines

Código de producto RS: 222-4669PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD60N10S4L12ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

OptiMOS™

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.012 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Material del transistor

Silicon

Número de Elementos por Chip

1

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$ 55,34

$ 1,107 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
50 - 90$ 1,107$ 11,07
100 - 240$ 1,06$ 10,60
250 - 490$ 1,015$ 10,15
500+$ 0,943$ 9,43

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Tipo de montaje

Montaje superficial

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