Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Serie
IPD600N25N3 G
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
2.41mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 2,265
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 10 | € 2,265 | € 22,65 |
20 - 40 | € 1,857 | € 18,58 |
50 - 90 | € 1,744 | € 17,44 |
100 - 240 | € 1,631 | € 16,31 |
250+ | € 1,494 | € 14,94 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Serie
IPD600N25N3 G
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
2.41mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V