MOSFET Infineon IPD50R380CEAUMA1, VDSS 550 V, ID 14,1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
550 V
Serie
CoolMOS CE
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Altura
2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Serie
CoolMOS CE
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Altura
2.41mm
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-55 °C
Tensión de diodo directa
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Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
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