Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + 2 Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19,9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
7.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.5mm
Altura
2.3mm
Serie
IPD50N10S3L-16
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + 2 Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19,9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
7.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.5mm
Altura
2.3mm
Serie
IPD50N10S3L-16
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101