Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + 2 Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Serie
IPD320N20N3 G
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.41mm
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + 2 Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Serie
IPD320N20N3 G
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.41mm