MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, TO-252 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Ancho
7.47mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,026 | € 10,26 |
| 100 - 240 | € 0,80 | € 8,00 |
| 250 - 490 | € 0,748 | € 7,48 |
| 500 - 990 | € 0,697 | € 6,97 |
| 1000+ | € 0,647 | € 6,47 |
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Serie
IPD25CN10N G
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
26 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
71000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Ancho
7.47mm
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