Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Serie
IPD200N15N3 G
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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€ 2,281
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 10 | € 2,281 | € 22,80 |
20 - 40 | € 1,824 | € 18,24 |
50 - 90 | € 1,711 | € 17,11 |
100 - 240 | € 1,596 | € 15,96 |
250+ | € 1,483 | € 14,83 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Serie
IPD200N15N3 G
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C