MOSFET Infineon IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
52 nC a 10 V
Ancho
7.36mm
Serie
IPD053N08N3 G
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.41mm
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€ 0,815
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Ancho
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