Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
10.25mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
67 nC a 10 V
Serie
IPB64N25S3-20
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.4mm
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€ 5,73
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | € 5,73 | € 28,65 |
10 - 20 | € 4,871 | € 24,35 |
25 - 45 | € 4,584 | € 22,92 |
50 - 120 | € 4,24 | € 21,20 |
125+ | € 3,953 | € 19,77 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
10.25mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
67 nC a 10 V
Serie
IPB64N25S3-20
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.4mm