Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Serie
CoolMOS P6
Serie
CoolMOS™ P6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Profundidad
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.45mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,344
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Empaque de Producción (Rollo)
2
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2 - 8 | € 3,344 | € 6,69 |
10 - 98 | € 2,842 | € 5,68 |
100 - 498 | € 2,452 | € 4,90 |
500 - 998 | € 2,08 | € 4,16 |
1000+ | € 1,92 | € 3,84 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Serie
CoolMOS P6
Serie
CoolMOS™ P6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
176 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Profundidad
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.45mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.