MOSFET Infineon IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
OptiMOS™-T
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Profundidad
9.25mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.4mm
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 20 - 20 | € 1,80 | € 36,00 |
| 40 - 80 | € 1,711 | € 34,22 |
| 100 - 180 | € 1,638 | € 32,76 |
| 200 - 480 | € 1,565 | € 31,31 |
| 500+ | € 1,458 | € 29,16 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
OptiMOS™-T
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Profundidad
9.25mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
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