Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
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$ 0,87
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB029N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
800
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Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB029N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
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800
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
800 - 800 | $ 0,87 | $ 696,00 |
1600+ | $ 0,826 | $ 660,95 |
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC