MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1955Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB020N10N5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

176 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Encapsulado

TO 263

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

11.05mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

168 nC a 10 V

Altura

4.57mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

11.05mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

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