MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPB020N10N5
Tipo de Encapsulado
TO 263
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 6,313 | € 31,57 |
| 25 - 95 | € 5,372 | € 26,86 |
| 100 - 245 | € 4,652 | € 23,26 |
| 250 - 495 | € 4,41 | € 22,05 |
| 500+ | € 3,952 | € 19,76 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPB020N10N5
Tipo de Encapsulado
TO 263
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
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