MOSFET Infineon IPB017N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263 de 7 + Tab pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPB017N10N5
Tipo de Encapsulado
TO-263
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
5
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N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
IPB017N10N5
Tipo de Encapsulado
TO-263
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
11.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
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