Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
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€ 1,867
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
800
€ 1,867
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
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800
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
190 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC