MOSFET Infineon IPB010N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
208 nC a 10 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.45mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Empaque de Producción (Rollo)
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 6,954 | € 13,91 |
| 20 - 98 | € 5,931 | € 11,86 |
| 100 - 198 | € 5,141 | € 10,28 |
| 200 - 498 | € 4,865 | € 9,73 |
| 500+ | € 4,351 | € 8,70 |
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N
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-60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
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Tensión de diodo directa
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