MOSFET Infineon IPA60R230P6XKSA1, VDSS 600 V, ID 16,8 A, TO-220FP de 3 + Tab pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
16,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
530 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Altura
16.15mm
Serie
CoolMOS P6
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
530 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Altura
16.15mm
Serie
CoolMOS P6
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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