MOSFET Infineon IPA50R140CPXKSA1, VDSS 550 V, ID 23 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
550 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Series
CoolMOS CP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
34 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.65mm
Ancho
4.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
9.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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550 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Series
CoolMOS CP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
34 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.65mm
Ancho
4.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Altura
9.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
MOSFET Transistors, Infineon
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