Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Price on asking
Empaque de Producción (Rollo)
1
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N
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44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC