IGBT, IHW30N135R3FKSA1, N-Canal, 30 A, 1350 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1350 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
349 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Capacitancia de puerta
2066pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 14,58
€ 4,861 Each (In a Pack of 3) (Sin IVA)
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3
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 3 - 12 | € 4,861 | € 14,58 |
| 15 - 27 | € 4,374 | € 13,12 |
| 30 - 72 | € 4,085 | € 12,26 |
| 75 - 147 | € 3,791 | € 11,37 |
| 150+ | € 3,498 | € 10,49 |
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Disipación de Potencia Máxima
349 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
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Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Capacitancia de puerta
2066pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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